2010年11月 何通りかの訳から適訳を
ある和文を英訳する場合、文構造の異なる何通りかの英文を思いつくと思います。それら候補から適切な英文を選択する際、特許の英訳においては注意すべきことがあります。クレームでは特に注意が必要です。「初出の名詞は定冠詞（the）でなく不定冠詞（a, an）で導く」ことを金科玉条のように考えている翻訳者もいるようですが、これではobjectionを受けることを免れません。次の例を見てみましょう。
例：（原文）
【請求項１】発光層上にグラファイトからなる保護膜を有する半導体発光素子。
【請求項２】前記保護膜の厚さは１００～２００ｎｍである、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１】発光層上にグラファイトからなる保護膜を有する半導体発光素子。
【請求項２】前記保護膜の厚さは１００～２００ｎｍである、請求項１に記載の半導体発光素子。
ここで、【請求項１】は次のように訳せます。
1. A semiconductor light-emitting device comprising a light-emitting layer, and a protective film formed of graphite and provided on the light-emitting layer.
では、【請求項２】の訳としては次のどれがいいのでしょうか？
（例１）
2. A semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein a thickness of the protective film is 100 to 200 nm.
「厚さ」が初出だからという理由でa thickness としてしまうと、膜厚を規定する記述になりませんので原文の意図に沿っておらず、よくありません。
（例２）
2. A semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the thickness of the protective film is 100 to 200 nm.
（例３）
2. A semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the protective film has a thickness of 100 to 200 nm.
例２、３は共に可能な訳ですが、クレーム１に記載の「保護膜」を更に限定記述する形式で書かれている点から例３が最も良いと言えます。
2. A semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein a thickness of the protective film is 100 to 200 nm.
「厚さ」が初出だからという理由でa thickness としてしまうと、膜厚を規定する記述になりませんので原文の意図に沿っておらず、よくありません。
（例２）
2. A semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the thickness of the protective film is 100 to 200 nm.
（例３）
2. A semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the protective film has a thickness of 100 to 200 nm.
例２、３は共に可能な訳ですが、クレーム１に記載の「保護膜」を更に限定記述する形式で書かれている点から例３が最も良いと言えます。
クレームはその性格上、複雑な構造の文となることもしばしばありますが、上の考え方を押さえておくとよいでしょう。
